TSMC의 N3E 공정이 거의 완성 단계에 도달했다고 합니다. N3E는 N3의 향상된 버전이 아니라, EUV 레이어의 숫자를 줄인 보급형에 해당됩니다. N3보다 트랜지스터 밀도는 8% 낮지만 N5보다는 60% 높기에, 저렴하게 3nm 공정을 쓸 수 있는 방법이 됩니다. 

 

N3E는 23년 2분기나 3분기에 본격적으로 생산되며, N3의 개선판인 N3B보다 수율이 더 높습니다.