샌 디스크 공사는 4 일 256Gbit의 저장 용량을 갖춘 새로운 3D NAND 칩 시험 생산에 들어갔다고 발표했다.
이 256Gbit의 3D NAND는 TLC의 3bit / 셀에서 메모리 셀 어레이는 BiCS (Bit Cost Scalable) 기술을 통해 48 층으로 이루어져 있으며, 회사는이 구성을 세계 최초로하고있다. 또한, 지금까지의 발표에 따르면이 회사의 최근 3D NAND는 128Gbit의 MLC (2bit / 셀)이었다.
샌 디스크는 도시바와 공동으로 3D NAND를 개발하고 양사가 운영하는 욧카 이치 공장에서 이번 3D NAND의 시험적인 생산이 이루어진다. 이 3D NAND를 탑재 한 제품의 등장은 2016 년 이후에 출시한다 발표했다
