미국 Micron은 2일(현지 시간), 기관 투자가/애널리스트 대상 설명회"2017 Micron Analyst Conference"를 개최했다.
슬라이드 자료에 따르면 DRAM제조에서 2017년 말까지 현행 20nm에서 미세화를 추진한 1Xnm세대의 "의미 있는 성과"를 예고.또 1Xnm에서 미세화를 추진한 1Ynm(현재 미국과 일본의 Fab으로 1Znm과 동시에 개발 중)도 2017년 하반기에 제조 단계로 넘어가는.
NAND플래시에 대해서도 2017년 말까지 64층 제2세대 3D NAND의 "의미 있는 성과"를 예고. 2017년 하반기에는 제3세대 3D NAND의 제조 도입도 하겠다고 한다.4bit의 QLC에 대해서는 "시장 수요에 맞춰 폈다"로 있다.
2016년 DRAM/NAND제조의 성과
향후 DRAM제조
2017년 DRAM제조
향후 NAND제조
3D XPoint에 대해서는 제1세대는 이미 양산 단계에 접어들어 현재 차세대 차차 세대를 개발 중이라 한다.또 새로운 고성능 메모리도 개발 중이라고 가정한다.
3D Xpoint
비휘발성 메모리와 보는 차세대의 니타카 성능 메모리는 DRAM에 맞먹는 속도와 코스트 퍼포먼스를 강조하다
GDDR에 대해서도 2017년 후반에도 1Xnm제조의 GDDR5를 투입하려는 외 차세대 그래픽 솔루션을 위한 "GDDR6"도 개발 중이라 한다.
GDDR6은 GDDR5(8Gbps)의 2배가 된 16Gbps를 타깃으로 하는 메모리에서 슬라이드에서는 GDDR6의 투입 시기에 대해서 명시되지 않았지만Computerworld보도에 따르면 2017년 중의 투입을 목표로 하고 있다고 한다.
GDDR6은 개발 중
GDDR5의 2배 빠른 속도로
GDDR은 고성능 컴퓨팅뿐 아니라 라우터나 스위치 등의 네트워크 관련 기기에서도 채용된다
GDDR의 Micron의 우위점
PC뿐만 아니라 게임 콘솔도 VR에 힘입어 고성능화가 진행되어, GDDR5X/GGDR6에 이행이 진행된다는 예측
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