TSMC의 공정별 SRAM 비트 셀 크기입니다. 

N5와 비교해서 N3의 SRAM 밀도는 거의 같습니다. TSMC는 N3B의 SRAM 밀도가 N5의 1.2배라고 주장했으나 실제로는 5% 정도만 차이나는 것으로 보입니다. 

물론 로직 부문의 밀도는 많이 향상되지만, SRAM 부분의 크기는 별 차이가 없기에 갈수록 공정 개선의 효과가 줄어들 것으로 염려됩니다. 

https://fuse.wikichip.org/news/7375/tsmc-n3-and-challenges-ahead/