삼성전자는 첨단 반도체 기술의 세계적인 선두 주자로서 모든 공정 기술 개발을 완료했다고 발표했습니다.
혁신적인 공정 노드인 7LPP, EUV(Extreme UltraViolet) 를 이용한 7nm LPP(Low Power Plus) 리소그래피 기술에 관한 것입니다.
7LPP의 도입은 삼성 파운드리의 기술 로드맵 진화에 대한 분명한 시연이며, 고객에게 3nm에 대한 명확한 경로를 제공합니다.
최신 공정 노드인 7LPP의 상용화로 고객은 5G, 인공지능, 엔터프라이즈, 하이퍼 스케일(Hyperscale) 데이터 센터, IoT, 자율 주행, 네트워킹과 같은 응용 프로그램의 결계를 넓힐 흥미진진한 신제품을 모두 개발할 수 있습니다.
삼성전자의 파운드리 판매, 마케팅 부회장인 찰리 배(Charlie Bae) 는 다음과 같이 말했습니다.
"EUV 공정 노드가 도입됨에 따라 삼성은 반도체 업계에서 조용한 혁명을 이끌었습니다.
웨이퍼 제조 방식의 근본적인 변화는 우수한 처리량, 감소된 레이어, 더 나은 생산량으로 제품의 출시 시간을 크게 개선할 수 있는 고객에게 제공합니다.
우리는 7LPP가 모바일, HPC뿐만 아니라 광범위한 최첨단 응용 분야에도 적합합니다."
EUV 기술의 특성과 이점
EUV는 파장이 193nm에 불과하고 비싼 멀티 패터닝 마스크 세트(Multi Patterning Mask Set) 를 필요로하는 기존의 아르곤 불화물(ArF) 침지 기술에 비해 실리콘 웨이퍼를 노출하기 위해 13.5nm 파장의 빛을 사용합니다.
EUV를 사용하면 단일 마스크를 사용하여 동일한 레이어를 만들기 위해 ArF가 최대 4개의 마스크를 요구할 수 있는 실리콘 웨어퍼 레이어를 만들 수 있습니다.
결과적으로 삼서의 7LPP 공정은 비 EUV 공정과 비교하여 최종 마스크 수를 약 20% 까지 줄일 수 있어 고객이 시간과 비용을 절약할 수 있게 해줍니다.
EUV 리소그래피 개선은 또한 다중 패턴 패터닝의 복잡성을 줄임으로써 설계 생산성을 향상시키면서 향상된 성능, 낮은 전력, 작은 다이 크기를 제공합니다.
삼성의 &LPP 기술을 이전의 10nm FinFET과 비교할 때 레이어 수 감소와 수율 개선으로 공정 복잡성을 크게 줄여줄 뿐만 아니라, 20% 높은 성능, 최대 50% 낮은 전력 소비로 면적 효율성을 최대 40% 까지 향상시킵니다.
EUV 기술로 가는 길
삼성전자의 EUV 연구 개발이 2000년대에 시작된 이래로, 이 회사는 업계 최고의 공구 공급 업체와의 협력을 통해 EUV 웨이퍼의 안정성을 보장하기 위해 제조 시설에 완전히 새로운 장비를 설계, 설치함으로써 탁월한 진전을 이뤘습니다.
초기 EUV 생산은 화성의 삼성 S3-Fab에서 시작되었습니다.
삼성은 차세대 칩 설계를 위해 대량 생산이 필요한 고객을 위해 2020년까지 새로운 EUV 라인을 통해 추가 용량을 확보할 것으로 기대하고 있습니다.
EUV의 개척자로써, 삼성은 또한 EUV 마스크에서 조기 결함 탐지를 수행하는 고유한 마스크 검사 도구와 같은 독점적인 기능을 개발하여 제조 초기에 그러한 결함을 제거할 수 있게 했습니다.
ASML의 기업 마케팅 부사장인 피터 젠킨스(Peter Jenkins) 는 다음과 같이 말했습니다.
"EUV 기술의 상용화는 반도체 산업의 혁명이며 일상 생활에 커다란 영향을 미칠것입니다.
반도체 제조 공정의 근본적인 변화에 따라 삼성, 다른 선도적인 칩 제조업체와 협력하는 것은 대단히 기쁩니다."
7nm LPP EUV 생태계
삼성 고급 파운드리 생태계는 EUV와 함께 7LPP 도입을 위해 준비되었습니다.
업계 전반의 생태계 파트너는 재단, 고급 IP, 고급 패키칭, 서비스를 제공하여 삼성 고객이 이 새로운 플랫폼에서 제품을 개발할 수 있도록 합니다.
고성능, 고밀도 표준 셀에서 HBM2/2e 메모리 인터페이스, 112G SerDes 인터페이스에 이르기까지 삼성 고급 파운드리 생태계는 고객이 7LPP에서 설계를 구현할 수 있도록 도와줍니다.
미국, 중국, 한국, 일본 행사에 이어 삼성은 10월 18일 독일 뮌헨(München) 에서 유럽 고객, 파트너를 대상으로 올해 최종 파운드리 포럼을 개최합니다.
