DRAM의 공급 총 비트 량의 성장은 둔화

　DRAM 전체로 보면 올해 DRAM 시장 공급 비트 수는 연평균 약 28 % 성장한다. 과거 DRAM의 공급은 연평균 50 % 전후의 고율 성장하고 있었지만, 

최근 몇년은 20 %대로되고있어 올해도 그 추세가 계속된다. 지난해 TrendForce의 예상은 2015 년 32 %의 성장이 있었기 때문에 현재의 예상은 

이보다 낮지 만 크게 다르지 않다.

이것은 즉, 과거의 PC 황금 시대처럼 2 년마다 시스템의 탑재 DRAM 용량이 두배가되는 시대는 이제 (당분간은) 오지 않을 것이다. 현재 모바일 DRAM은 2 ~ 3 년으로 메모리 대역폭이 2 배가되고있다. 그러나 메모리 용량 분들은 그만큼 빠른 속도는 증가한다. 메모리 탑재량 증가의 둔화는 PC에서 더 현저하다.

　DRAM의 공급 총 비트 량의 증가가 낮은 것은 DRAM 벤더가 모두 생산 용량의 대폭적인 확장을하지 않기 때문이다. 올해의 비트 총량의 성장도 생산 용량의 증가에 의한 것이 아니라 제조 공정 기술 전환에 의한 다이 크기의 축소 / 대당 용량 증대 효과에 따르면 TrendForce는 설명한다. 제조 시설의 용량은 일정하게 유지하면서 미세화에 의해 구동 비트 량을 늘린다. 미세화의 속도는 둔화되고 있기 때문에 연간 총 비트 량의 증가는 20 % 대에 머문다.

　거칠게 말하면, 반도체 제조 업체는 DRAM을 대박의 기회로 간주되지 않습니다 제조 용량을 늘려 시장 점유율을 획득하는 등 도전에 나오지 않게되어있다. 즉, DRAM 반도체 메이커의 주요 전장이 아닌되고있다. 또한 시스템 측의 DRAM 용량 요구 자체도 공급에 알 맞는 수준에 지나지 않는다.

20nm 공정으로의 전환을 추진 DRAM

　DRAM 공정 미세화는 TrendForce는 Samsung의 모바일 DRAM을 예로 들어 설명했다. 

이 회사의 모바일 DRAM은 2013 년에 35nm 공정에서 25nm 프로세스로 이행을 진행하고 이후 과정의 이행이 완만하게되어 있었다.

하지만 올해는 25nm 공정에서 20nm 공정으로 미세화가 급속도로 진행된다.

또한 Samsung는 LPDDR4의 제조 출시도 본격화 해 간다. 올해는 20nm 프로세스의 LDDR4을 시장에 내면 TrendForce는 예측하고있다. Samsung 제조 계획을 보면 LPDDR4 세대는 20nm 프로세스가 주축이되어가는 것을 알 수있다. 20nm 전후의 프로세스로의 전환은 노광 기술의 진보도 밀접하게 얽혀 있으며, 초창기에는 예정하고 있던 EUV 양산 기술에 도달하지 않으므로 더블 패터닝을 사용하고있다.

　이처럼 프로세스의 미세화와 그에 따른 총 비트 량의 증가와 비용 절감을 실현하고있는 DRAM하지만 20nm 프로세스부터는 먹구름이 감돌고있다. 커패시터의 용량 감소 (또는 그것을 막기위한 캐패시터 비율 상승)과 메모리 셀 간의 간섭 등의 문제가 드는 때문이다. Samsung은 현재 10nm 프로세스 전후까지 DRAM을 미세화하는 기술 개발을하고 있으며, "2 계층 커패시터 '나'에어 갭 '등의 도입을 검토하고있는 것을 2 월 ISSCC (IEEE International Solid- State Circuits Conference)에서 밝히고있다.

　그러던 어느 DRAM 관계자는 새로운 기술의 도입에 의해 DRAM의 미세화를 계속하는 것은 가능하지만, 양산 기술로 도입 가능 여부에 대해서는 우려가 매우 많다고 지적한다. 어쨌든, 20nm 프로세스부터는 양산 수준에서 허들이 높은 것은 확실하다. 따라서 현재 연평균 20 % 대의 총 비트 량의 증가에도 이어갈 수 있을지 여부는 아직 알 수 없다. DRAM 대체 메모리 기술 개발이 요구되고 있지만, 그쪽도 기술적 인 장애물이 여전히 높다.