SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)’ 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼*인 제온 스케일러블 플랫폼(Intel® Xeon® Scalable platform)에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다.

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, SK하이닉스 기술진은 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현했다. 이는 DDR5 초창기 시제품*보다 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것이다.

또, 회사는 이번 1b DDR5에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’* 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다.

김 부사장은 또, “올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것”이라며 “내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E*로도 확대 적용할 것”이라고 밝혔다.

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