삼성전자는 내년에 본격 양산할 9세대 300단 이상 V낸드 칩에도 ‘더블스택’ 기술을 적용한다. 더블스택 기술은 낸드플래시를 두 번에 나눠 제작한 뒤 결합하는 방법이다. 삼성전자는 7세대 176단 V낸드부터 더블스택을 적용했다.

경쟁사인 SK하이닉스는 최근 2025년 양산 예정인 321단 낸드플래시 샘플 칩을 업계 1위 삼성전자보다 먼저 공개하면서 업계를 깜짝 놀라게 했다. 다만 삼성전자와 달리 이 칩은 각기 다른 세 개의 칩을 만든 뒤 세로로 잇는 ‘트리플스택’ 방식이 적용된 것으로 알려졌다. 이를테면 120단·110단·91단 낸드를 따로 만들어 하나의 칩으로 이어 붙이는 것이다.

더블스택과 트리플스택의 차이는 크다. 특히 생산성과 원가에서 확실한 차이를 보인다. 두 번의 결합 방식으로 칩을 만들 때가 세 번에 걸쳐 제작할 때보다 공정 수와 각종 원자재 가격에서 압도적 우위를 차지할 수 있기 때문이다.


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