앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1,000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요합니다. D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있으며, V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것입니다.

이와 더불어, 현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것입니다. 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보하였습니다.

삼성전자 메모리사업부장이 쓴 글입니다. 현재 SK하이닉스가 321단 낸드를 목표하고 있으니 삼성도 300단 이상은 될 것으로 보입니다. 

https://semiconductor.samsung.com/kr/news-events/tech-blog/samsungs-memory-innovation-opens-infinite-possibilities/