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삼성 반도체 기고문인데 대충 뭐가 나올지 알 수 있어서 올려봅니다.
↓https://news.samsungsemiconductor.com/kr/%EA%B8%B0%EA%B3%A0%EB%AC%B8-ai-%EC%8B%9C%EB%8C%80-%EC%B5%9C%EC%A0%81-%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC-%EC%86%94%EB%A3%A8%EC%85%98%EC%9C%BC%EB%A1%9C-%EB%AF%B8%EB%9E%98-%EA%B8%B0%EC%88%A0%EC%9D%84/
HBM3E 샤인볼트(Shinebolt)
현재 AI용 메모리로 주목받고 있는 ‘HBM3E’는 12단(적층) 기술을 활용해 최대 1,280GB/s의 대역폭과 최대 36GB(기가바이트)의 고용량을 제공한다.
32Gb DDR5 D램
삼성전자는 작년 9월 업계 최초로 12나노급 공정을 활용해 32Gb(기가비트) DDR5 고용량 제품을 개발했으며, 현재 주요 칩셋 업체와 고객에게 샘플을 공급 중이다.
MRDIMM
삼성전자는 기존 RDIMM 대비 데이터 전송 채널을 2배로 늘려 성능을 2배 높인 MRDIMM(Multiplexed Rank DIMM)을 개발하고, 작년 하반기 주요 칩셋 업체와 검증을 완료했다. 이 제품은 8.8Gbps의 속도를 지원하며, HPC 등 고사양 메모리를 요구하는 AI 응용처에 적극 채용될 것으로 예상된다.
PCIe Gen5 SSD ‘PM9D3a’
PM9D3a는 PCIe Gen5를 지원하는 8채널 컨트롤러 기반 제품으로, 기존 제품 대비 연속 읽기속도는 최대 2.3배 향상됐고, 소비 전력은 60% 개선된 업계 최고의 전력 효율을 제공한다.
LPDDR5X D램
삼성전자는 LPDDR 표준 기반 최고 속도 9.6Gbps를 지원하는 LPDDR5X 제품을 개발 중이다. 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, HKMG) 기술을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 30% 개선하고, 표준 패키지 솔루션을 지원해 응용처별 최적 포트폴리오를 제공한다.
LPDDR5X CAMM2
작년 9월 삼성전자는 LPDDR D램 기반 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)를 업계 최초로 개발했으며, 현재 주요 파트너들에게 샘플을 제공하고 검증을 진행 중이다.
LLW D램
LLW(Low latency Wide I/O) D램은 128GB/s의 초고성능, 저지연 특성에 최적화된 제품이다. 1.2pJ/b의 매우 낮은 전력으로 구동하며, 즉각적인 대응이 필요한 AI 모델을 단말단에서 구동하는데 적합한 솔루션이다.
PCIe Gen5 SSD ‘PM9E1’
PM9E1은 PCIe 5.0을 지원하는 8채널 컨트롤러 기반 PC/Client OEM용 SSD제품으로, 올해 6월 개발될 예정이다. 이전 세대 대비 연속 읽기속도는 2배 향상되고, 33%의 개선된 전력 효율을 제공한다.
