현재 200~300단 적층까지 진행을 하고 있는 낸드 플래시 메모리가 사실상 그 이상의 단수로 적층하는데 어려운 벽에 직면해 있는 상황인데, 이를 뛰어 넘어 1000단 이상 적층이 가능한 기술을 국내 연구진이 개발했다고 합니다.

카이스트의 김기욱 전기전자공학부 박사과정이 다음달 하와이에서 열릴 IEEE VLSI 테스트 심포지엄에서 발표할 예정인 기술 세션에서 이에 대한 기술을 소개할 예정이라고 하네요.

이런 기술이 우리 삼성전자나 SK하이닉스 같은데 제공되어 이 시장에서 우리 업체들이 우위를 이어갈 수 있었으면 좋겠네요.

그나저나 1000단을 적층한다니 대단하네요.